CDF投讯 | 创东方完成对碳化硅赛道领跑者派恩杰的天使轮投资

第三代半导體(tǐ)功率器件设计和方案商(shāng)派恩杰半导體(tǐ)（杭州）有(yǒu)限公司（下称“派恩杰半导體(tǐ)”）近日完成了数千万元天使轮融资。本轮融资由深圳创东方投资有(yǒu)限公司（下称“创东方”）投资。

派恩杰半导體(tǐ)持续专注于碳化硅和氮化镓功率器件的设计研发，并已经实现系列产品量产。

以碳化硅、氮化镓為(wèi)代表的第三代半导體(tǐ)被视作下一个重要的产业赛道。相比第一、第二代半导體(tǐ)，第三代半导體(tǐ)具有(yǒu)宽禁带、高耐压、低阻抗等诸多(duō)优势，特别适用(yòng)于高功率和高频高压场景，其中设计和制造工艺相对更成熟的碳化硅，目前已在新(xīn)能(néng)源汽車(chē)、充電(diàn)桩、光伏、风電(diàn)、工控等众多(duō)领域得到越来越广泛的应用(yòng)。

黄兴表示，新(xīn)能(néng)源汽車(chē)市场的应用(yòng)将是未来碳化硅的主要增長(cháng)驱动力，目前也已经有(yǒu)車(chē)企在和他(tā)们谈合作，接下去公司将进一步专注車(chē)规级碳化硅产品的研发量产。而从产业及技术链条层面来看，接下去的两年也有(yǒu)望进入从IGBT向碳化硅的转换期，“大家渐渐地发现，碳化硅对于整个車(chē)的效率，甚至是静音方面是有(yǒu)很(hěn)大的作用(yòng)的。比如使用(yòng)IGBT，它電(diàn)极的噪音还是比较明显的，而碳化硅就几乎听不到噪音。”黄兴解释，他(tā)预期，今年國(guó)内就会有(yǒu)碳化硅的样車(chē)出现，从明年开始会有(yǒu)一个逐步地从IGBT转向碳化硅的过程。

公开资料显示，派恩杰半导體(tǐ)成立于2018年9月，致力于碳化硅和氮化镓功率器件的设计研发与产品销售，以实现國(guó)有(yǒu)品牌替代。公司创始核心团队均来自行业知名公司，具备10年以上半导體(tǐ)行业研发、生产、管理(lǐ)和销售经验。

值得一提的是，公司成立6个月时即完成第一款可(kě)兼容驱动650V氮化镓HEMT产品；同年发布Gen3技术的1200V碳化硅MOS产品，HDFM技术指标國(guó)内领先；2020年公司推出低VF高浪涌650V碳化硅SBD产品，实现技术再次迭代。

目前公司的产品有(yǒu)碳化硅SBD，碳化硅MOS，氮化镓HEMT等三大系列，涵盖650V-3300V的電(diàn)压平台、50余款不同型号的碳化硅和氮化镓功率器件，广泛应用(yòng)于服務(wù)器及数据中心電(diàn)源、新(xīn)能(néng)源汽車(chē)、智能(néng)電(diàn)网、5G物(wù)联网、工业電(diàn)机、逆变器等场景和领域。

创东方投资观点

長(cháng)期专注硬科(kē)技领域创投的创东方投资看好第三代半导體(tǐ)的未来发展前景。创东方投资团队称，预期到2024年，第三代半导體(tǐ)的渗透率将从当前的约1%快速提升至5%以上。而派恩杰半导體(tǐ)正是创东方投资团队在第三代半导體(tǐ)这一关键赛道中精选的具备技术领先性、产品落地性、市场广阔性和增長(cháng)确定性的领跑者。

创东方投资团队认為(wèi)，派恩杰半导體(tǐ)是目前國(guó)内唯一自研并向市场广泛推广碳化硅SBD+MOS系列产品線(xiàn)的供应商(shāng)，主打的碳化硅MOS产品平均比國(guó)内同行领先两代以上（3-5年），关键性能(néng)参数达到全球一流水准。同时，公司的销售团队為(wèi)来自Cree和Rohm的高级别资深销售，使得公司可(kě)以更广泛和精准地触达客户需求。

“半导體(tǐ)行业是不怕‘论持久战’的。事实上是，真正拥有(yǒu)从技术到产品到市场整合优势等各方面综合能(néng)力的团队并不多(duō)，而各类资源方，不论是产业资本以及投资机构等，在市场上反而是充裕的。”创东方投资合伙人謝(xiè)玉娟对集微网指出，从投资方的角度，更注重的在于选靠谱的团队和项目，并且希望陪着团队慢慢成長(cháng)。